SILICON-NITRIDE TRAP PROPERTIES AS REVEALED BY CHARGE-CENTROID MEASUREMENTS ON MNOS DEVICES

被引：146

作者：

ARNETT, PC ^{[1
]}

YUN, BH ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.88093

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：94 / 96

页数：3

共 6 条

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