LASER RECRYSTALLIZATION OF SILICON STRIPES IN SIO2 GROOVES WITH A POLYCRYSTALLINE SILICON SUBLAYER

被引:8
作者
EGAMI, K [1 ]
KIMURA, M [1 ]
HAMAGUCHI, T [1 ]
机构
[1] NEC CORP, DIV RES & DEV PLANNING & TECH SERV, MIYAMAE KU, KAWASAKI 213, JAPAN
关键词
D O I
10.1063/1.94215
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:1023 / 1025
页数:3
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