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GROWTH EFFECTS OF IN0.53GA0.47AS ON INP STRUCTURED SUBSTRATES

被引：4
作者：
CHAND, N
SYRBU, AV
HOUSTON, PA
机构：
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1982年 / 18卷 / 14期
关键词：
D O I：
10.1049/el:19820419
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：613 / 614
页数：2
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共 3 条
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