A DIRECT MEASUREMENT TECHNIQUE FOR SMALL GEOMETRY MOS-TRANSISTOR CAPACITANCES

被引：19

作者：

WENG, KCK

YANG, P

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1985年 / 6卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26035

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：40 / 42

页数：3

相关论文

共 5 条

[1] AN ANALYTICAL MODEL FOR THE GATE CAPACITANCE OF SMALL-GEOMETRY MOS STRUCTURES [J].

GREENEICH, EW .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1983, 30 (12) :1838-1839

[2]

IWAI H, 1984, SEP VLSI S TECHN SAN

[3]

PAULOS JJ, 1982, ISSCC, P238

[4]

YANG P, 1983, IEEE J SOLID-ST CIRC, V18, P128

[5]

YANG P, 1982, IEEE T COMPUT AID D, V1, P169