2-DIMENSIONAL SIMULATION OF SUB-MU-M GAAS-MESFETS WITH ION-IMPLANTED DOPING

被引：5

作者：

FENG, YK

SCHUNEMANN, K

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(89)90301-8

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1719 / 1722

页数：4

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共 3 条

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BLOTEKJAER, K .

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