INELASTIC LIGHT-SCATTERING IN HOLE-ACCUMULATION LAYERS ON SILICON

被引：16

作者：

ABSTREITER, G

CLAESSEN, U

TRANKLE, G

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(82)90579-8

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：673 / 676

页数：4

共 17 条

ABSTREITER, G ;

PLOOG, K .

[2]

ABSTREITER G, 1981, I PHYS C SER, V56, P741

[3]

BANGERT E, 1975, UNPUB

[4]

BANGERT E, 1974, 12TH P INT C PHYS SE, P714

[5]

BURSTEIN E, 1980, SURF SCI, V98, P1231

[6]

Ching L. Y., 1980, Journal of the Physical Society of Japan, V49, P951

[7]

CLAESSEN U, 1981, THESIS TU MUNCHEN

[8]

KAMGAR A, 1974, 12TH P INT C PHYS SE, P709

[9] ELECTRONIC LEVELS IN SURFACE SPACE-CHARGE LAYERS ON SI(100) [J].

KNESCHAUREK, P ;

KAMGAR, A ;

KOCH, JF .

[10]

Ohkawa F. J., 1975, Progress of Theoretical Physics Supplement, P164, DOI 10.1143/PTPS.57.164