AN ALLOY PROCESS FOR MAKING HIGH CURRENT DENSITY SILICON TUNNEL DIODE JUNCTIONS

被引：26

作者：

FRANKS, VM

HULME, KF

MORGAN, JR

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1965年 / 8卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(65)90149-8

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：343 / &

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