BISTABLE SWITCHING ON GALLIUM-ARSENIDE SCHOTTKY GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：2

作者：

ROSSEL, P ^{[1
]}

CABOT, JJ ^{[1
]}

GRAFFEUI.J ^{[1
]}

机构：

[1] CNRS,LAB AUTOM & ANAL SYST,TOULOUSE,FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1655569

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：510 / 511

页数：2

共 6 条

[1]

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