NEW DOPING METHOD FOR SUBHALF MICRON TRENCH SIDEWALLS BY USING AN ELECTRON-CYCLOTRON RESONANCE PLASMA

被引：108

作者：

MIZUNO, B ^{[1
]}

NAKAYAMA, I ^{[1
]}

AOI, N ^{[1
]}

KUBOTA, M ^{[1
]}

KOMEDA, T ^{[1
]}

机构：

[1] MATSUSHITA ELECT IND CO LTD,PROD ENGN LAB,MORIGUCHI,OSAKA 570,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.100318

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2059 / 2061

页数：3

共 5 条

FUSE, G ;

UMIMOTO, H ;

ODANAKA, S ;

WAKABAYASHI, M ;

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