DEGRADATION OF N-MOS-TRANSISTORS AFTER PULSED STRESS

被引：47

作者：

WEBER, W

WERNER, C

DORDA, G

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.26010

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：518 / 520

页数：3

共 6 条

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