RELATIONSHIP BETWEEN X-RAY-PRODUCED HOLES AND INTERFACE STATES IN METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CAPACITORS

被引:52
作者
HU, GJ [1 ]
JOHNSON, WC [1 ]
机构
[1] PRINCETON UNIV,DEPT ELECT ENGN & COMP SCI,PRINCETON,NJ 08544
关键词
D O I
10.1063/1.332169
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:1441 / 1444
页数:4
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