MOS DEVICE AND TECHNOLOGY CONSTRAINTS IN VLSI

被引：61

作者：

ELMANSY, Y

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1982.20744

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：567 / 573

页数：7

共 26 条

[21]

SODINI CG, 1980, DEVICE RES C P

SUCIU, PI ;

FULS, EN ;

BOLL, HJ .

ELECTRON DEVICE LETTERS, 1980, 1 (01) :10-11

[23]

SUN E, 1978, IEDM, P478

[24] DEVICE CHARACTERISTICS OF SHORT-CHANNEL AND NARROW-WIDTH MOSFETS [J].

WANG, PP .

[25] DOUBLE BORON IMPLANT SHORT-CHANNEL MOSFET [J].

WANG, PP .

[26]

YAU LD, 1974, SOLID STATE ELECTRON, V17, P1059, DOI 10.1016/0038-1101(74)90145-2