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ROOM-TEMPERATURE PULSED OSCILLATION OF GAALAS GAAS SURFACE EMITTING INJECTION-LASER
被引:45
作者
:
IGA, K
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IGA, K
ISHIKAWA, S
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ISHIKAWA, S
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OHKOUCHI, S
NISHIMURA, T
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NISHIMURA, T
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1984年
/ 45卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.95265
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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GAAS-ALXGA1-XAS DOUBLE HETEROSTRUCTURE INJECTION LASERS
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REINHART, FK
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1971,
42
(05)
:1929
-&
[2]
IBARAKI A, UNPUB
[3]
LASING CHARACTERISTICS OF IMPROVED GAINASP-INP SURFACE EMITTING INJECTION-LASERS
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ELECTRONICS LETTERS,
1983,
19
(13)
:457
-458
[4]
ADDITIONAL DATA ON EFFECT OF DOPING ON LASING CHARACTERISTICS OF GAAS-ALX GA1-XAS DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LASERS
[J].
PINKAS, E
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TECHNION ISRAEL INST TECHNOL,HAIFA,ISRAEL
PINKAS, E
;
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FOY, PW
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IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,
1973,
QE 9
(02)
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[1]
GAAS-ALXGA1-XAS DOUBLE HETEROSTRUCTURE INJECTION LASERS
[J].
HAYASHI, I
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IGA, K
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:457
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ADDITIONAL DATA ON EFFECT OF DOPING ON LASING CHARACTERISTICS OF GAAS-ALX GA1-XAS DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LASERS
[J].
PINKAS, E
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IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,
1973,
QE 9
(02)
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