SURFACE RECOMBINATION CURRENT WITH A NONIDEALITY FACTOR GREATER THAN 2

被引：16

作者：

GHANNAM, MY

MERTENS, RP

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/55.31734

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：242 / 244

页数：3

共 8 条

[1]

Chen T. C., 1986, International Electron Devices Meeting 1986. Technical Digest (Cat. No.86CH2381-2), P650

[2]

GHANNAM MY, 1985, THESIS KATHOLIEKE U

GROVE, AS ;

FITZGERALD, DJ .

[4]

HACKBARTH E, 1986, 44TH DEV RES C

[5]

HILLEN MW, 1983, SOLID STATE ELECTRON, P453

[6]

JOSHI SP, 1987, IEDM, P182

LI, GP ;

HACKBARTH, E ;

CHEN, TC .

WACHNIK, RA ;

BUCELOT, TJ ;

LI, GP .