MEASUREMENT OF MINORITY-CARRIER LIFETIME PROFILES IN SILICON

被引：20

作者：

SCHWAB, G ^{[1
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BERNT, H ^{[1
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REICHL, H ^{[1
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机构：

[1] FRAUNHOFER GESELL ANGEW FORSCH,INST FEST KORPER TECHNOL,D-8000 MUNCHEN 60,BUNDES REPUBLIK

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(77)90055-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：91 / &

共 11 条

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