GEOMETRY-EFFECTS IN MOSFET CHANNEL LENGTH EXTRACTION ALGORITHMS

被引：24

作者：

WORDEMAN, MR

SUN, JYC

LAUX, SE

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26091

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：186 / 188

页数：3

共 6 条

BUTURLA, EM ;

COTTRELL, PE ;

GROSSMAN, BM ;

SALSBURG, KA .

[2]

CHEN JGJ, 1980, IEEE ELECTRON DEVICE, V1, P170

[3]

HACHTEL GD, 1980, 1980 IEEE INT S CIRC, V1, P40

LAUX, SE .

[5] SOURCE-AND-DRAIN SERIES RESISTANCE OF LDD MOSFETS [J].

SHEU, BJ ;

HU, C ;

KO, PK ;

HSU, FC .

[6] NEW METHOD TO DETERMINE EFFECTIVE MOSFET CHANNEL LENGTH [J].

TERADA, K ;

MUTA, H .