THE LATTICE-DYNAMICS OF SUBSTITUTIONAL TIN ON THE 2 DIFFERENT LATTICE SITES IN III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

被引：4

作者：

WEYER, G ^{[1
]}

PETERSEN, JW ^{[1
]}

DAMGAARD, S ^{[1
]}

机构：

[1] CERN,ISOLDE COLLABORAT,CH-1211 GENEVA 23,SWITZERLAND

来源：

PHYSICA B & C | 1983年 / 117卷 / MAR期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(83)90576-4

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：523 / 525

页数：3

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共 14 条

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WEYER, G ;

LARSEN, AN ;

HOLM, NE ;

NIELSEN, HL .

PHYSICAL REVIEW B, 1980, 21 (11) :4939-4950

[12]

Weyer G., 1975, Hyperfine Interactions, V1, P93, DOI 10.1007/BF01022445

[13]

WEYER G, 1982, UNPUB 12TH P INT C R

[14]

WEYER G, 1980, J PHYS STAT SOL B, V98, pK147