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INFLUENCE OF GROWTH-CONDITIONS ON DEEP LEVELS IN MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL GAAS

被引：8
作者：
AMANO, C
SHIBUKAWA, A
ANDO, K
YAMAGUCHI, M
机构：
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1984年 / 20卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1049/el:19840116
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：174 / 175
页数：2
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共 5 条
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