BASIC PARAMETER MEASUREMENT AND CHANNEL BROADENING EFFECT IN THE SUBMICROMETER MOSFET

被引：17

作者：

PENG, KL ^{[1
]}

OH, SY ^{[1
]}

AFROMOWITZ, MA ^{[1
]}

MOLL, JL ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV WASHINGTON,DEPT ELECT ENGN,SEATTLE,WA 98195

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1984年 / 5卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.25993

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：473 / 475

页数：3

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共 4 条

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