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MEASUREMENT OF FRACTURE-STRESS, YOUNG MODULUS, AND INTRINSIC STRESS OF HEAVILY BORON-DOPED SILICON MICROSTRUCTURES
被引:38
作者
:
NAJAFI, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
NAJAFI, K
SUZUKI, K
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0
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0
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0
SUZUKI, K
机构
:
来源
:
THIN SOLID FILMS
|
1989年
/ 181卷
关键词
:
D O I
:
10.1016/0040-6090(89)90492-6
中图分类号
:
T [工业技术];
学科分类号
:
08 ;
摘要
:
引用
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页码:251 / 258
页数:8
相关论文
共 13 条
[11]
SENTURIA SD, 1987, 4TH INT C SOL STAT S, P11
[12]
Suzuki K., 1988, International Electron Devices Meeting. Technical Digest (IEEE Cat. No.88CH2528-8), P674, DOI 10.1109/IEDM.1988.32903
[13]
TABATA O, 1989, 1989 P IEEE MICR EL, P152
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共 13 条
[11]
SENTURIA SD, 1987, 4TH INT C SOL STAT S, P11
[12]
Suzuki K., 1988, International Electron Devices Meeting. Technical Digest (IEEE Cat. No.88CH2528-8), P674, DOI 10.1109/IEDM.1988.32903
[13]
TABATA O, 1989, 1989 P IEEE MICR EL, P152
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