ORIENTATION OF STACKING FAULTS AND DISLOCATION ETCH PITS IN BETA-SIC

被引：6

作者：

LIEBMANN, WK

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2426278

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：885 / 886

页数：2

相关论文

共 7 条

[1]

BOOKER GR, UNPUB PHIL MAG

[2]

CHU TL, 1963, METALLURGY ADV ELECT

[3]

FAUST JW, 1959, P C SILICON CARBIDE, P403

[4] STRUCTURE AND ORIGIN OF STACKING FAULTS IN EPITAXIAL SILICON [J].

FINCH, RH ;

QUEISSER, HJ ;

WASHBURN, J ;

THOMAS, G .

[5]

JAGODZINSKI H, 1959, P C SILICON CARBIDE, P136

[6]

Lely A, 1955, BER DEUT KERAM GES, V8, P229

[7]

SANGSTER RC, 1962, COMPOUND SEMICONDUCT, V1, P241