IMPROVEMENT OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR THRESHOLD VOLTAGE UNIFORMITY BY USING VERY LOW DISLOCATION DENSITY LIQUID ENCAPSULATED CZOCHRALSKI-GROWN GAAS

被引：21

作者：

YAMAZAKI, H

HONDA, T

ISHIDA, S

KAWASAKI, Y

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1984年 / 45卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.95034

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1109 / 1111

页数：3

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共 3 条

[1]

HIRAYAMA M, 1984, FEB ISSCC, P46

[2] IMPROVEMENT OF CRYSTAL HOMOGENEITIES IN LIQUID-ENCAPSULATED CZOCHRALSKI GROWN, SEMI-INSULATING GAAS BY HEAT-TREATMENT [J].

MIYAZAWA, S ;

HONDA, T ;

ISHII, Y ;

ISHIDA, S .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1984, 44 (04) :410-412

[3] INHOMOGENEOUS GAAS-FET THRESHOLD VOLTAGES RELATED TO DISLOCATION DISTRIBUTION [J].

NANISHI, Y ;

ISHIDA, S ;

HONDA, T ;

YAMAZAKI, H ;

MIYAZAWA, S .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1982, 21 (06) :L335-L337