A NOVEL FLOATING-GATE METHOD FOR MEASUREMENT OF ULTRA-LOW HOLE AND ELECTRON GATE CURRENTS IN MOS-TRANSISTORS

被引：33

作者：

NISSANCOHEN, Y

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1986.26474

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：561 / 563

页数：3

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