ENHANCED CARRIER LIFETIME AND DIFFUSION LENGTH IN GAAS BY STRAINED-LAYER MOCVD

被引：19

作者：

BENEKING, H

NAROZNY, P

ROENTGEN, P

YOSHIDA, M

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1986年 / 7卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1986.26308

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：101 / 103

页数：3

相关论文

共 12 条

[11]

SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, P95

[12] EQUILIBRIUM STRUCTURE OF A THIN EPITAXIAL FILM [J].

VANDERMERWE, JH .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1970, 41 (11) :4725-+