GAAS SCHOTTKY-READ DIODES FOR X-BAND OPERATION

被引：27

作者：

WISSEMAN, WR ^{[1
]}

SHAW, DW ^{[1
]}

ADAMS, RL ^{[1
]}

HASTY, TE ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTR INC,DALLAS,TX 75222

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1974.17923

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：317 / 323

页数：7

共 24 条

[1] ETCHING OF DISLOCATIONS ON LOW-INDEX FACES OF GAAS [J].

ABRAHAMS, MS ;

BUIOCCHI, CJ .

[2]

HAITZ RH, 1969, IEEE T ELECTRON DEVI, VED16, P438

[3]

HOLLAN L, 1973, 1972 S P I PHYS LOND, P217

[4]

HUANG HC, 1973, IEEE T ELEC DEVICES, VED20, P482

[5]

IRVIN JC, 1973, 1973 DEV RES C BOULD

[6]

IRVIN JC, 1973, IEEE T ELECTRON DEV, VED20, P1178

[7]

IRVIN JC, 1973, AUG CORN C MICR SEM

[8]

KIM C, 1973, 1973 WORKSH COMP SEM

[9]

KIM CK, 1973, AUG CORN C MICR SEM

[10]

KRAMER B, 1972, MAY IEEE GMTT INT MI, P187