EQUIVALENT-CIRCUIT AND ECL RING OSCILLATORS OF GRADED-BANDGAP BASE GAAS/ALGAAS HBTS

被引：8

作者：

YAMAUCHI, Y

ISHIBASHI, T

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1986年 / 22卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19860012

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：18 / 20

页数：3

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[1]

ASBECK PM, 1984, 16TH C SOL STAT DEV, P343

[2]

BURGER RM, FUNDAMENTALS SILICON, V2

[3] BIPOLAR-TRANSISTOR WITH GRADED BAND-GAP BASE [J].

HAYES, JR ;

CAPASSO, F ;

GOSSARD, AC ;

MALIK, RJ ;

WIEGMANN, W .

ELECTRONICS LETTERS, 1983, 19 (11) :410-411

[4]

Kroemer H., 1957, RCA REV, V18, P332