PRESSURE-INDUCED SEMICONDUCTOR-METAL TRANSITIONS IN AMORPHOUS INSB

被引：32

作者：

SHIMOMURA, O ^{[1
]}

ASAUMI, K ^{[1
]}

SAKAI, N ^{[1
]}

MINOMURA, S ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TOKYO,INST SOLID STATE PHYS,TOKYO 113,JAPAN

来源：

PHILOSOPHICAL MAGAZINE | 1976年 / 34卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1080/14786437608222054

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：839 / 849

页数：11