SUBTHRESHOLD BEHAVIOR OF SILICON MOSFETS AT 4.2-K

被引：36

作者：

KAMGAR, A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(82)90052-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：537 / 539

页数：3

共 5 条

BREWS, JR .

[2] CHARGE-SHEET MODEL OF MOSFET [J].

BREWS, JR .

[3]

BREWS JR, COMMUNICATION

[4] VERY SMALL MOSFETS FOR LOW-TEMPERATURE OPERATION [J].

GAENSSLEN, FH ;

RIDEOUT, VL ;

WALKER, EJ ;

WALKER, JJ .

KAMGAR, A ;

TSUI, DC ;

STURGE, MD .