OXIDATION CHARACTERISTICS OF NITROGEN IMPLANTED SILICON

被引：10

作者：

WADA, Y

ASHIKAWA, M

机构：

[1] HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO,JAPAN

[2] HITACHI LTD,RES & DEV PROMOTION CTR,CHIYODA,TOKYO,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1976年 / 15卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.15.389

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：389 / 390

页数：2

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共 3 条

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