THE EFFECT OF HYDROGEN ON HOT CARRIER AND RADIATION IMMUNITY OF MOS DEVICES

被引：33

作者：

NISSANCOHEN, Y ^{[1
]}

机构：

[1] GE,CORP RES & DEV,SCHENECTADY,NY 12345

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0169-4332(89)90468-6

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：511 / 522

页数：12

共 6 条

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