EVIDENCE, BY TRANSPORT MEASUREMENTS UNDER HYDROSTATIC-PRESSURE, OF RESONANT LEVEL INDUCED BY IMPLANTATION DEFECTS IN EPITAXIAL LAYERS OF HG1-XCDXTE

被引：6

作者：

GHENIM, L ^{[1
]}

ROBERT, JL ^{[1
]}

BOUSQUET, C ^{[1
]}

RAYMOND, A ^{[1
]}

DESTEFANIS, GL ^{[1
]}

机构：

[1] CEN,INFRAROUGE LAB,ELECTR & TECHNOL INFORMAT LAB,85X,F-38041 GRENOBLE,FRANCE

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(85)90189-7

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：448 / 452

页数：5