DIRECT SILICIDATION OF CO ON SI BY RAPID THERMAL ANNEALING

被引：34

作者：

TABASKY, M ^{[1
]}

BULAT, ES ^{[1
]}

DITCHEK, BM ^{[1
]}

SULLIVAN, MA ^{[1
]}

SHATAS, SC ^{[1
]}

机构：

[1] PEAK SYST INC, TECHNOL, FREMONT, CA 94538 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.22962

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：548 / 553

页数：6