HIGH ELECTRON-MOBILITY SILICON FILMS GROWN ON SAPPHIRE AT HIGH GROWTH-RATE

被引：10

作者：

IMAMURA, Y ^{[1
]}

DAIDO, K ^{[1
]}

MIMEGISHI, K ^{[1
]}

NAKANISHI, H ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.7567/JJAPS.16S1.547

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：547 / 550

页数：4

共 6 条

[1]

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