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EFFECTS OF CHANNEL GEOMETRIES ON FET OUTPUT CONDUCTANCE IN SATURATION

被引：4
作者：
RICCO, B
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1984年 / 5卷 / 09期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1984.25944
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：353 / 356
页数：4
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共 5 条
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