VERY SHALLOW TRAPPING STATE IN DOPED GERMANIUM

被引：52

作者：

TANIGUCHI, M ^{[1
]}

HIRANO, M ^{[1
]}

NARITA, S ^{[1
]}

机构：

[1] OSAKA UNIV,FAC ENGN SCI,DEPT MAT PHYS,TOYONAKA 560,OSAKA,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.35.1095

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1095 / 1098

页数：4

共 7 条

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