AN IMPROVED AUGE OHMIC CONTACT TO N-GAAS

被引:19
作者
NATHAN, MI
HEIBLUM, M
机构
关键词
D O I
10.1016/0038-1101(82)90034-X
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:1063 / 1065
页数:3
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