ANNEALING OF E CENTER IN IRRADIATED SILICON

被引：11

作者：

HIRATA, M

SAITO, H

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.5.252

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：252 / &

共 8 条

[1] Atomic radii. II [J].

Huggins, ML .

PHYSICAL REVIEW, 1926, 28 (06) :1086-1107

[2]

Pauling L, 1934, Z KRISTALLOGR, V87, P205

[3]

SAITO H, 1963, JPN J APPL PHYS, V2, P678

[4]

SAITO H, 1963, J PHYS SOC JAPAN S3, V18, P246

[5] SPIN RESONANCE IN ELECTRON IRRADIATED SILICON [J].

WATKINS, GD ;

CORBETT, JW ;

WALKER, RM .

WATKINS, GD ;

CORBETT, JW .

PHYSICAL REVIEW, 1964, 134 (5A) :1359-+

[7]

WATKINS GD, 1961, DISCUSS FARADAY SOC, V31, P86

[8]

TO BE PUBLISHED