STOICHIOMETRY OF SIO2-SI INTERFACIAL REGIONS .1. ULTRATHIN OXIDE-FILMS

被引:67
作者
RAIDER, SI [1 ]
FLITSCH, R [1 ]
机构
[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1976年 / 13卷 / 01期
关键词
D O I
10.1116/1.568955
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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