ON THE INFLUENCE OF AN EXTERNAL DC SUBSTRATE BIAS ON BORON AND PHOSPHORUS DOPING EFFICIENCIES IN A-SI-H

被引：2

作者：

ALVAREZ, F

CHAMBOULEYRON, I

GOBBI, A

MENDONCA, C

CASTRO, FL

机构：

[1] UNICAMP, Campinas, Braz, UNICAMP, Campinas, Braz

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(85)90714-8

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS

引用

页码：527 / 530

页数：4

共 3 条

DALAL, V ;

ALVAREZ, F .

JOURNAL DE PHYSIQUE, 1981, 42 (NC4) :491-494

DENBOER, W .

JOURNAL DE PHYSIQUE, 1981, 42 (NC4) :451-454

KONENKAMP, R ;

HERMANN, AM ;

MADAN, A .