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ANNEALING BEHAVIOR OF GAMMA-RAY-INDUCED ELECTRON TRAPS IN LEC N-INP

被引：11
作者：
KOYAMA, J
SHIRAFUJI, J
INUISHI, Y
机构：
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1983年 / 19卷 / 16期
关键词：
D O I：
10.1049/el:19830415
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：609 / 611
页数：3
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