NMR-STUDY ON HEAVILY DOPED SILICON .1.

被引:44
作者
SASAKI, W [1 ]
IKEHATA, S [1 ]
KOBAYASHI, SI [1 ]
机构
[1] UNIV TOKYO, FAC SCI, DEPT PHYS, BUNKYO, TOKYO, JAPAN
关键词
D O I
10.1143/JPSJ.36.1377
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
收藏
页码:1377 / 1382
页数:6
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