LOW-TEMPERATURE THERMAL OXIDATION OF SILICON BY DRY OXYGEN-PRESSURE ABOVE 1-ATM

被引：26

作者：

ZETO, RJ ^{[1
]}

THORNTON, CG ^{[1
]}

HRYCKOWIAN, E ^{[1
]}

BOSCO, CD ^{[1
]}

机构：

[1] USA,ELECTR COMMAND,ELECTR TECHNOL & DEVICES LAB,FT MONMOUTH,NJ 07703

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2134028

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：1409 / 1410

页数：2

共 5 条

[1]

ATALLA MM, 1960, P C ELEMENTAL COMPOU

[2] GENERAL RELATIONSHIP FOR THERMAL OXIDATION OF SILICON [J].

DEAL, BE ;

GROVE, AS .

IRENE, EA .

[4] DRY PRESSURE LOCAL OXIDATION OF SILICON FOR IC ISOLATION [J].

MARSHALL, S ;

ZETO, RJ ;

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[5]

1965, INTEGRATED SILICON D, V7, P49