ELECTRONIC-PROPERTIES OF GRAIN-BOUNDARIES IN POLYCRYSTALLINE SILICON

被引：3

作者：

OUALID, J ^{[1
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AMZIL, H ^{[1
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CREST, JP ^{[1
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DUGAS, J ^{[1
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MATHIAN, G ^{[1
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ZEHAF, M ^{[1
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MARTINUZZI, S ^{[1
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机构：

[1] CTR UNIV ST JEROME,ECOLE NATL SUPER PHYS MARSEILLE,MAT & COMPOSANTS SEMICOND LAB,F-13397 MARSEILLE 13,FRANCE

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1982年 / 43卷 / NC1期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:1982142

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：313 / 318

页数：6

共 14 条

OUALID, J ;

BONFILS, M ;

CREST, JP ;

MATHIAN, G ;

AMZIL, H ;

DUGAS, J ;

ZEHAF, M ;

MARTINUZZI, S .

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE, 1982, 17 (03) :119-124

[12]

Schroter W., 1980, ELECTRONIC STRUCTURE, P129

[13]

SINGAL CM, 1982, C MARSEILLE

[14] EFFECTS OF GRAIN-BOUNDARIES IN POLYCRYSTALLINE SOLAR-CELLS [J].

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