REDUCTION OF THE SHORT-CHANNEL EFFECTS FOR GAAS-MESFETS BY DOUBLE SHALLOW N+-LAYERS

被引：5

作者：

ENOKI, T

SUGITANI, S

YAMASAKI, K

OHWADA, K

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1988年 / 9卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/55.6948

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：470 / 472

页数：3

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共 12 条

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