FABRICATION OF THIN GATE OXIDE MOSFETS USING LOW-TEMPERATURE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITED SIO2

被引：5

作者：

STASIAK, J

BATEY, J

TIERNEY, E

LI, J

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

[2] YALE UNIV,CTR MICROELECTR MAT & STRUCT,NEW HAVEN,CT 06520

[3] YALE UNIV,DEPT ELECT ENGN,NEW HAVEN,CT 06520

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23274

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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