PHOTOMASK-PHOTORESIST TECHNIQUES FOR CRYOTRON FABRICATION

被引：13

作者：

PRITCHARD, JP

PIERCE, JT

SLAY, BG

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1964.3308

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1207 / &

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