ATOM AND ACCEPTOR DEPTH DISTRIBUTIONS FOR ALUMINUM CHANNELED IN SILICON AS A FUNCTION OF ION ENERGY AND CRYSTAL ORIENTATION

被引：5

作者：

WILSON, RG ^{[1
]}

JAMBA, DM ^{[1
]}

CHU, PK ^{[1
]}

HOPKINS, CG ^{[1
]}

HITZMAN, CJ ^{[1
]}

机构：

[1] CHARLES EVANS & ASSOCIATES,REDWOOD CITY,CA 94063

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1986年 / 60卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1063/1.337061

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：2806 / 2809

页数：4

相关论文

共 3 条

[1] CHANNELED-ION IMPLANTATION OF GROUP-III AND GROUP-V IONS INTO SILICON [J].

FURUYA, T ;

NISHI, H ;

INADA, T ;

SAKURAI, T .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1978, 49 (07) :3918-3921

[2] CHANNELING OF ALUMINUM IN SILICON [J].

WILSON, RG ;

HOPKINS, CG .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1985, 57 (10) :4517-4519

[3]

WILSON RG, 1982, NBS40071 SPEC PUBL