EFFECTS OF LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF B+ + SI+ OR BF2+ + SI+ IMPLANTED SILICON

被引：3

作者：

WILSON, SR ^{[1
]}

GREGORY, RB ^{[1
]}

PAULSON, WM ^{[1
]}

HAMDI, AH ^{[1
]}

MCDANIEL, FD ^{[1
]}

机构：

[1] N TEXAS STATE UNIV,DEPT PHYS,DENTON,TX 76203

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1983.4332626

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1730 / 1733

页数：4

共 6 条

[1] BEHAVIOR OF BORON MOLECULAR ION IMPLANTS INTO SILICON [J].

BEANLAND, DG .

CAMPISANO, SU ;

RIMINI, E ;

BAERI, P ;

FOTI, G .

[3]

GIBBONS JF, 1975, PROJECTED RANGE STAT

[4]

LAU SS, 1979, LASER SOLID INTERACT, P84

[5]

MULLER H, 1971, ION IMPLANTATION SEM, P85

TSAI, MY ;

STREETMAN, BG ;

WILLIAMS, P ;

EVANS, CA .