TEMPERATURE-DEPENDENT DENSITY OF STATES EFFECTIVE MASS IN NONPARABOLIC P-TYPE SILICON

被引：22

作者：

LANG, JE

MADARASZ, FL

HEMENGER, PM

机构：

[1] USAF,WRIGHT AEROSP LABS,MLPO,MAT LAB,WRIGHT PATTERSON AFB,OH 45433

[2] UNIVERSAL ENERGY SYST,DAYTON,OH 45432

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1983年 / 54卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.332397

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

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页码：3612 / 3612

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共 1 条

[1] EFFECTIVE MASSES FOR NONPARABOLIC BANDS IN P-TYPE SILICON [J].

MADARASZ, FL ;

LANG, JE ;

HEMEGER, PM .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1981, 52 (07) :4646-4648