IMPROVED THRESHOLD VOLTAGE UNIFORMITY IN GAAS-MESFET USING HIGH-PURITY MOCVD-GROWN BUFFER LAYER AS A SUBSTRATE FOR ION-IMPLANTATION

被引:8
作者
SANO, Y
NAKAMURA, H
AKIYAMA, M
EGAWA, T
ISHIDA, T
KAMINISHI, K
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1984年 / 23卷 / 05期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.23.L290
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:L290 / L292
页数:3
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