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IMPROVED THRESHOLD VOLTAGE UNIFORMITY IN GAAS-MESFET USING HIGH-PURITY MOCVD-GROWN BUFFER LAYER AS A SUBSTRATE FOR ION-IMPLANTATION
被引:8
作者
:
SANO, Y
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SANO, Y
NAKAMURA, H
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NAKAMURA, H
AKIYAMA, M
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AKIYAMA, M
EGAWA, T
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EGAWA, T
ISHIDA, T
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ISHIDA, T
KAMINISHI, K
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KAMINISHI, K
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
|
1984年
/ 23卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.23.L290
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:L290 / L292
页数:3
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共 3 条
[1]
DIRECT OBSERVATION OF DISLOCATION EFFECTS ON THRESHOLD VOLTAGE OF A GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MIYAZAWA, S
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MIYAZAWA, S
ISHII, Y
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ISHII, Y
ISHIDA, S
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ISHIDA, S
NANISHI, Y
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NANISHI, Y
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1983,
43
(09)
: 853
-
855
[2]
NAKAMURA H, 1983, ISSCC DIG TECH PAP I, V26, P134
[3]
Yokoyama N., 1984, 1984 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, P44
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共 3 条
[1]
DIRECT OBSERVATION OF DISLOCATION EFFECTS ON THRESHOLD VOLTAGE OF A GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
MIYAZAWA, S
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MIYAZAWA, S
ISHII, Y
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ISHII, Y
ISHIDA, S
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ISHIDA, S
NANISHI, Y
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NANISHI, Y
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1983,
43
(09)
: 853
-
855
[2]
NAKAMURA H, 1983, ISSCC DIG TECH PAP I, V26, P134
[3]
Yokoyama N., 1984, 1984 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers, P44
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